开关节点 RC 振铃尖峰吸收电路计算器 (Snubber)
在 DC-DC Buck / Boost / Flyback 开关电源中，MOSFET 关断瞬间由于线路寄生电感与 MOS 寄生电容发生高频震荡（Ringing），产生过压尖峰和 EMI 辐射。通过本工具测试“双频法”，可精准计算寄生参数并得到最佳 $R_{snub}$ 和 $C_{snub}$。
示波器测得 SW 脚波形尖峰的高频振铃频率
加入 $C_{test}$ 后示波器测得的较低振铃频率
计算与选型结果
| 开关节点寄生电容 Cparasitic | — pF |
| 开关回路寄生电感 Lparasitic | — nH |
| 推荐吸收电阻 Rsnub | — Ω |
| 推荐吸收电容 Csnub | — pF |
| 吸收电阻预计功耗 PR,snub | — W |
| 电阻封装推荐 | — |
计算推导公式：
$$x = \left( \frac{f_{ring1}}{f_{ring2}} \right)^2 - 1 \implies C_{p} = \frac{C_{test}}{x}$$
$$L_p = \frac{1}{(2\pi f_{ring1})^2 \times C_p}$$
$$R_{snub} = \sqrt{\frac{L_p}{C_p}} = Z_0 \quad (\text{临界阻尼匹配})$$
$$C_{snub} = (1 \text{ to } 3) \times C_p \quad (\text{通用推荐取 } 2 C_p)$$
$$P_{R,snub} = C_{snub} \times V_{in}^2 \times f_{sw}$$
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